Teknolojik cihazların boyutları küçüldükçe donanım parçalarının ve fabrikasyon mimarisinin de küçülmesi gerekiyor. Bu aşamada DRAM pazarındaki rekabet sürerken, hem kapasite hem de ayak izi açısından yeni teknolojiler ile karşılaşmaya devam ediyoruz. Son olarak Samsung, Memcon 2024 kapsamında 3D DRAM teknolojisini tanıttı. Samsung 3D DRAM teknolojisini tanıttı
Samsung, Memcon 2024 kapsamında iki yeni 3D DRAM teknolojsini sergiledi; Dikey Kanal Transistörleri ve İstiflenmiş DRAM. Bu gelişmelerden ilki, transistör tasarımında temel bir değişiklik sağlayarak alanı azaltmayı hedefliyor. Bu aşamada mevcut akış kanalı yataydan dikeye çevrilerek transistörün kapladığı alan önemli ölçüde azaltılacak. Ancak bu tekniğin baskı aşamasında çok daha fazla hassasiyet gerektireceğini hatırlatalım.
Stacked veya İstiflenmiş DRAM ise, yatay düzlemi kullanan geleneksel 2D DRAM’den farklı olarak tek bir çip üzerinde birden fazla dikey bellek hücresine olanak tanıyacak. Bu yenilikçi yaklaşım, tek çip kapasitesini 100 GB’ın üzerine çıkarma potansiyeline sahip; bu, mevcut sınırlamalarla karşılaştırıldığında önemli bir sıçrama
Böylelikle hem kapasite hem de ölçeklenebilirlilik alanında atılım bekleniyor.
3D DRAM pazarının 2028’e kadar 100 milyar dolara ulaşması bekleniyor. Samsung ise, Silikon Vadisi’nde kurulacak özel bir 3D DRAM araştırma laboratuvarı ile en iyi yetenekleri çekmeye ve araştırma-geliştirme çabalarını hızlandırmaya odaklanacak. Ayrıca Koreli dev, kurumsal pazarlarda için MUF Teknolojisini de araştırıyor. Samsung’un çabaları gelecekte daha güçlü ve kompakt elektronik cihazların geliştirilmesine yol açabilir. Ancak Koreli devin bu alanda tek olmadığını hatırlatalım.
